Новосибірська філія Федеральної державної бюджетної установи науки Інституту фізики напівпровідників ім. А.В. Ржанова Сибірського відділення Російської академії наук «Конструкторсько-технологічний інститут прикладної мікроелектроніки»

Назва мовою держави реєстрації

Новосибирский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники»

Скорочена назва мовою держави реєстрації

КТИПМ СО РАН

Назва англійською

Microelectronic Research and Development Center Novosibirsk

Адреса

Альтернативна адреса

  • м. Новосибірськ, вул. Ніколаєва, 8; просп. Академіка Лаврентьєва, 2/1

Реєстраційні дані

ОДРН: 1025403651283 ОКПО: 05323794

Податкові дані

ІПН: 5408100057

Експортні обмеження США

2022-03-09

87 FR 13143

Дата запровадження санкцій

2022-03-15

Постанови Ради ЄС

№ 833/2014 від 31.07.2014

Примітки

Юридичну особу «Конструкторсько-технологічний інститут прикладної мікроелектроніки Сибірського відділення Російської академії» наук ліквідовано 10.05.2006. Наразі інститут є філією ДБУН Інститут фізики напівпровідників ім. А.В. Ржанова Сибірського відділення Російської академії наук