Новосибірська філія Федеральної державної бюджетної установи науки Інституту фізики напівпровідників ім. А.В. Ржанова Сибірського відділення Російської академії наук «Конструкторсько-технологічний інститут прикладної мікроелектроніки»
Назва мовою держави реєстрації
Новосибирский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники»Скорочена назва мовою держави реєстрації
КТИПМ СО РАННазва англійською
Microelectronic Research and Development Center NovosibirskАдреса
- РФ
- /
- Новосибірська обл.
- /
- г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
Альтернативна адреса
- м. Новосибірськ, вул. Ніколаєва, 8; просп. Академіка Лаврентьєва, 2/1
Держава реєстрації
РФРеєстраційні дані
ОДРН: 1025403651283 ОКПО: 05323794Податкові дані
ІПН: 5408100057
Експортні обмеження США
2022-03-09
Дата запровадження санкцій
2022-03-15
Постанови Ради ЄС
№ 833/2014 від 31.07.2014